(AIM) Permanente Ladungsträgerverschiebung in Halbleitern, ausgelüst durch einen Lawineneffekt. Wird u.a. zur Programmierung nichtflüchtiger Speicher verwandt (s.a. ROM).
(AIM) Permanente Ladungsträgerverschiebung in Halbleitern, ausgelst durch einen Lawineneffekt. Wird u.a. zur Programmierung nichtflüchtiger Speicher verwandt (s.a. ROM).